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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage : VCEO = 140V • Collector Dissipation : PC(max) = 625mW 文件：28.94 Kbytes 页数：2 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
mplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：188.13 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
NPN high-voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: 2N5400 and 2N5401. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • Switching and amplification in high voltage applications such as telephony. 文件：43.92 Kbytes 页数：8 Pages | PHI PHI | PHI | ||
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage : VCEO = 140V • Collector Dissipation : PC(max) = 625mW 文件：33.73 Kbytes 页数：1 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG | ||
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=160V, VCEO=140V • Low Leakage Current. : ICBO=100nA(Max.) VCB=100V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.25V(Max.) IC=50mA, IB=5mA • Low Noise : NF=10dB (Max.) 文件：147.34 Kbytes 页数：2 Pages | KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司 | KEC | ||
COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 2N5400,2N5401 --> PNP 2N5550,2N5551 --> NPN 文件：165.17 Kbytes 页数：2 Pages | MICRO-ELECTRONICS | MICRO-ELECTRONICS | ||
NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 文件：157.41 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
SERIES 2N TRANSISTORS SERIES 2N TRANSISTORS 文件：182.8 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Switching and mplification in igh oltage Applications such as elephony Low urrent(ax. 600mA) High oltage(ax.160V) 文件：1.72509 Mbytes 页数：5 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | DGNJDZ | ||
丝印：F0；Package：SOT-23；High Voltage Transistors High Voltage Transistors FEATURE • Pb-Free package is available. 文件：1.21154 Mbytes 页数：5 Pages | FS | FS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
>250MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFX94A,BFX95A,BSW63,BSW64,BSW84,BSW85,2N2220A,2N2221A,2N2222A,3DK102B,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍数：
β>100
- 图片代号：
D-8
- vtest：
60
- htest：
250000100
- atest：
0.8
- wtest：
0.5
产品属性
- 产品编号：
2N5582
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AB，TO-46-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-46-3
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
CAN |
7000 |
询价 | ||||
MOT |
24+ |
CAN3 |
4231 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
38500 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
CAN |
200 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | |||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
CAN |
1696 |
专营铁帽CANCDIP |
询价 | |||
2000 |
100 |
询价 | |||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
MOT |
25+ |
TO-46 |
50 |
普通 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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