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NPN Silicon Transistor (General purpose amplifier High voltage application) Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with 2N5401 文件：199.92 Kbytes 页数：3 Pages | AUK | AUK | ||
Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：59.95 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：106.28 Kbytes 页数：2 Pages | DIOTEC 德欧泰克 | DIOTEC | ||
NPN General Purpose Amplifier Transistor Features • This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL rating 1 • Marking:Type number • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates Co 文件：214.49 Kbytes 页数：3 Pages | MCC | MCC | ||
NPN high-voltage transistors FEATURES · Low current (max. 300 mA) · High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS · Switching and amplification in high voltage applications such as telephony. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: 2N5400 and 2N5401. 文件：59.52 Kbytes 页数：7 Pages | 恩XP | 恩XP | ||
NPN General Purpose Amplifier FEATURES & USE ★ High Collector Breakdown Voltage; Low Noise; ★ Complementary to 2N5401 ★ This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltages. 文件：47.05 Kbytes 页数：1 Pages | AVICTEK | AVICTEK | ||
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features • Pb−Free Packages are Available* • Device Marking: Device Type, e.g., 2N5550, Date Code 文件：693.07 Kbytes 页数：1 Pages | DAYA 大亚电器 | DAYA | ||
Amplifier Transistors Features • Pb−Free Packages are Available* • Device Marking: Device Type, e.g., 2N5550, Date Code 文件：83.22 Kbytes 页数：6 Pages | DAYA 大亚电器 | DAYA | ||
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier applications. 文件：213.55 Kbytes 页数：1 Pages | DCCOM 道全 | DCCOM | ||
TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 180 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.71 Kbytes 页数：2 Pages | TEL | TEL |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
>250MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFX94A,BFX95A,BSW63,BSW64,BSW84,BSW85,2N2220A,2N2221A,2N2222A,3DK102B,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍数：
β>100
- 图片代号：
D-8
- vtest：
60
- htest：
250000100
- atest：
0.8
- wtest：
0.5
产品属性
- 产品编号：
2N5582
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AB，TO-46-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-46-3
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CAN |
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CAN3 |
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