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IPD033N06N

丝印:033N06N;Package:PG-TO252-3;OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:871.87 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

PSMQC033N06NS1

丝印:033N06NS;Package:DFN5060-8L;60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature  RDS(ON), VGS@10V, ID@40A

文件:752.07 Kbytes 页数:7 Pages

PANJIT

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更多033N06N供应商 更新时间2025-9-21 16:12:00