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039INBBA	文件：301.11 Kbytes Page：10 Pages	型号：GAN039-650NBBA；Package：SOT8000；650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package 1.Generaldescription TheGAN039-650NBBAisanAutomotivequalified650V,33mΩGalliumNitride(GaN)FETina CCPAK1212package.Itisanormally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaN HEMTH2technologyandlow-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorrel	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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型号：GAN039-650NBBA；Package：SOT8000；650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package

1.Generaldescription TheGAN039-650NBBAisanAutomotivequalified650V,33mΩGalliumNitride(GaN)FETina CCPAK1212package.Itisanormally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaN HEMTH2technologyandlow-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorrel

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更多039INBBA供应商更新时间2025-8-4 9:30:00

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