IPB035N12NM6丝印代码丝印对应型号-114ic电子网

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035N12N6	文件：1.16883 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPB035N12NM6；Package：PG-TO263-3；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching and synchronous rectification • 文件：1.16883 Mbytes 页数：11 Pages	英飞凌	ETC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	IPB036N12N3	Infineon	TO263-7	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多035N12N6供应商更新时间2025-8-5 16:50:00