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IPB038N12N3G	文件：878.72 Kbytes Page：11 Pages	Marking：038N12N；Package：PG-TO263-3；N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant,halogenfree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI041N12N3G	文件：507.87 Kbytes Page：11 Pages	Marking：038N12N；Package：PG-TO263-3；OptiMOSTM3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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Marking：038N12N；Package：PG-TO263-3；N-channel, normal level

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant,halogenfree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch

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