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038N15N6	文件：725.48 Kbytes Page：11 Pages	型号：IPB038N15NM6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
038N15N6	文件：893.69 Kbytes Page：11 Pages	型号：IPP038N15NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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型号：IPB038N15NM6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

038N15N6

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型号：IPP038N15NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

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