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037N12N6	文件：1.3165 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISC037N12NM6；Package：PG-TDSON-8FL；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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037N12N6

文件：1.3165 Mbytes

Page：11 Pages

型号：ISC037N12NM6；Package：PG-TDSON-8FL；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多037N12N6供应商更新时间2025-8-4 9:19:00

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