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IPD033N06N	文件：871.87 Kbytes Page：11 Pages	丝印：033N06N；Package：PG-TO252-3；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V 文件：871.87 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD033N06N	文件：336.25 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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技术参数

OPN：
IPD033N06NATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
3.3 mΩ
ID @25°C max：
90 A
QG typ @10V：
38 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
Technology：
OptiMOS™ 5

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