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IPD033N06N中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD033N06N

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IPD033N06N

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD033N06NATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO252-3

  • VDS max

    :60 V

  • RDS (on) @10V max

    :3.3 mΩ

  • ID @25°C max

    :90 A

  • QG typ @10V

    :38 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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