| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：03360YE；Package：SOT669；60 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Suitableforthermallydemandingenvironmentsdueto175°Cra | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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