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PSMP033-60YE	文件：274.78 Kbytes Page：15 Pages	丝印：03360YE；Package：SOT669；60 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C ra 文件：274.78 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMP033-60YE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • High thermal power dissipation capability\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• Trench MOSFET technology;	Nexperia 安世	Nexperia
PSR05-LF-T7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT143	PROTEK 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	PROTEK
PSR400ITQFH1L00	文件：0 bytes Page：0 Pages	3921	ROHM 罗姆上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ROHM
PSR75-12A	文件：0 bytes Page：0 Pages		TI 德州仪器上传：深圳市安富世纪电子有限公司	TI

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
33
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
36
Tj [max] (°C)：
175
QGD [typ] (nC)：
9.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
46
Ptot [max] (W)：
110
Qr [typ] (nC)：
18
VGSth [typ] (V)：
-2
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2590
Coss [typ] (pF)：
202
Release date：
2021-01-13

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	PSMP033-60YE	NEXPERIA/安世	24+	SOT669	1924	原装正品,现货库存,1小时内发货	询价
深圳市宏誉半导体有限公司	PSMP033-60YE	NEXPERIA/安世	21+	SOT669	1400	全新原装	询价
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亚泰电子科技有限公司	PSMP061-60YEX	NEXPERIA	22+	SMD	6000		询价
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更多PSMP033-60YE供应商更新时间2026-2-2 10:34:00

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