IPT020N10N5芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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IPT020N10N5	文件：1.029609 Mbytes Page：11 Pages	丝印：020N10N5；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.029609 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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更多020N10N5供应商更新时间2024-2-29 11:17:00