ISC022N10NM6芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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ISC022N10NM6	文件：904.61 Kbytes Page：11 Pages	丝印：022N1N6；Package：PG-TSON-8-3；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching and synchronous rectification • 文件：904.61 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多022N1N6供应商更新时间2025-9-21 14:14:00