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022N1N6

型号:ISC022N10NM6;Package:PG-TSON-8-3;OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •

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更多022N1N6供应商 更新时间2025-8-4 14:13:00