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IPTG025N10NM5

丝印:025N10N5;Package:PG-HSOG-8-1;OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Ideal for high frequency switching and sync. rec.

文件:1.32142 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

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更多025N10N5供应商 更新时间2026-1-20 15:15:00