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027N10N6

型号:ISC027N10NM6;Package:PG-TDSON-8FL;OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 100 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching and synchronous rectification •

文件:1.33909 Mbytes 页数:12 Pages

英飞凌

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更多027N10N6供应商 更新时间2025-8-5 17:01:00