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021N06N	文件：483.71 Kbytes Page：11 Pages	型号：IPB021N06N3G；Package：PG-TO263-3；OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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021N06N

文件：483.71 Kbytes

Page：11 Pages

型号：IPB021N06N3G；Package：PG-TO263-3；OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
021N06N
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市天卓伟业电子有限公司	IPB021N06N3G	英飞凌	24+	TO-263-3	5000	全新、原装	询价
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更多021N06N供应商更新时间2025-8-4 16:12:00

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