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ISL9021IIWZ-T	文件：494.85 Kbytes Page：10 Pages	Marking：021W；Package：4BallWLCSP；250mA Single LDO with Low IQ, Low Noise and High PSRR LDO 250mASingleLDOwithLowIQ,LowNoiseandHighPSRRLDO TheISL9021isasingleLDOprovidinghighperformancelowinputvoltage,highPSRR.Itdeliversguaranteedcontinuous250mAloadcurrentandisstablewith1µFto4.7µFofoutputcapacitance(±30)withanESRrangeof5mΩto400mΩ. Featu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NVMFWS021N10MCLT1G	文件：325.98 Kbytes Page：8 Pages	Marking：021W10；Package：DFNW5；MOSFET ??Power, Single N-Channel 100 V, 23 m, 31 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS021N10MCL−WettableFlankOptionforEnhanced OpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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250mASingleLDOwithLowIQ,LowNoiseandHighPSRRLDO TheISL9021isasingleLDOprovidinghighperformancelowinputvoltage,highPSRR.Itdeliversguaranteedcontinuous250mAloadcurrentandisstablewith1µFto4.7µFofoutputcapacitance(±30)withanESRrangeof5mΩto400mΩ. Featu

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NVMFWS021N10MCLT1G

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Marking：021W10；Package：DFNW5；MOSFET ??Power, Single N-Channel 100 V, 23 m, 31 A

Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS021N10MCL−WettableFlankOptionforEnhanced OpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,

ONSEMION Semiconductor

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更多021W供应商更新时间2025-5-24 17:30:00

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