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TF023N04NG	文件：4.35827 Mbytes Page：6 Pages	Marking：023N04NG；Package：PDFNWB5X6-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ●GeneralDescription TheTF023N04NGusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchin	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

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Marking：023N04NG；Package：PDFNWB5X6-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTF023N04NGusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchin

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

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更多023N04NG供应商更新时间2025-5-18 9:30:00

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