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IPB021N06N3G	文件：483.71 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin

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InfineonInfineon Technologies AG

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详细参数

型号：
IPB021N06N3G
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Infineon Technologies AG

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