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021N13N6	文件：1.07349 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPF021N13NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •100avalanchetested •175°Coperatingtemperature •Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications •Pb-freeleadpla	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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文件：1.07349 Mbytes

Page：11 Pages

型号：IPF021N13NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •100avalanchetested •175°Coperatingtemperature •Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications •Pb-freeleadpla

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更多021N13N6供应商更新时间2025-8-4 10:32:00

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