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000100	文件：231.18 Kbytes Page：12 Pages	型号：BC847QAS；Package：DFN1010B-6；45 V, 200 mA NPN/NPN general-purpose transistor Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified •Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
000100	文件：740.73 Kbytes Page：15 Pages	型号：PMXB75UPE；Package：DFN1010D-3；20 V, P-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00010000	文件：1.10639 Mbytes Page：10 Pages	型号：2PC4617RMB；Package：SOT883B；50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■LeadlessultrasmallSMDplastic package ■PowerdissipationcomparabletoSOT23 ■Lowpackageheightof0.37mm ■AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00010000	文件：1.1054 Mbytes Page：10 Pages	型号：2PC4617RMB；Package：SOT883B；50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00010010	文件：272.59 Kbytes Page：14 Pages	型号：PMH550UNE；Package：DFN0606-3；30 V, N-channel Trench MOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3(SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnol	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00010000	文件：703.7 Kbytes Page：15 Pages	型号：PMEG4020EPK；Package：DFN1608D-2；40 V, 2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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