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PDTC123JMB	文件：840.61 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00010111；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMH400UNE	文件：273.74 Kbytes Page：14 Pages	Marking：00010111；Package：SOT8001；30 V, N-channel Trench MOSFET description N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Features •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStatic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PDTC123JMB

文件：840.61 Kbytes

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Marking：00010111；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PMH400UNE

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Marking：00010111；Package：SOT8001；30 V, N-channel Trench MOSFET

description N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Features •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStatic

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上海金庆电子技术有限公司	000-10400		新		230	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	000-10400		2022+		226	全新原装货期两周	询价
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深圳市英博尔电子有限公司	000-10400	Amphenol RF	2年内	NA	150000	英博尔原装优质现货订货渠道商	询价
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深圳市昌和盛利电子有限公司	000107-B/64051	QVEX	23+	SOP28	18000		询价
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深圳市昂芯微科技有限公司	000107-B/64051	QVEX	23+	SOP28	8215	原厂原装	询价

更多00010111供应商更新时间2025-5-1 16:06:00

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