00011001芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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PDTA114EMB	文件：845.94 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00011001；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiastransistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMH850UPE	文件：277.75 Kbytes Page：14 Pages	Marking：00011001；Package：SOT8001；30 V, P-channel Trench MOSFET description P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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Marking：00011001；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiastransistors ■

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PMH850UPE

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Marking：00011001；Package：SOT8001；30 V, P-channel Trench MOSFET

description P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •

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详细参数

型号：
00011001
制造商：
SCHURTER
功能描述：
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更多00011001供应商更新时间2025-6-21 16:20:00

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