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PMH850UPE中文资料安世数据手册PDF规格书

PMH850UPE
厂商型号

PMH850UPE

功能描述

30 V, P-channel Trench MOSFET

丝印标识

00011001

封装外壳

SOT8001

文件大小

277.75 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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PMH850UPE规格书详情

description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3

(SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

• Low threshold voltage

• Very fast switching

• Trench MOSFET technology

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection up to 1.8 kV HBM

• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 0.62 × 0.62 × 0.37 mm

Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side load switch

• Switching circuits

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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