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ZXTP720MA	文件：221.68 Kbytes Page：7 Pages	40VPNPLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>-40V •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(-220mVmax@-1A) •RSAT=104mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEspecifiedupto-3Aforhighcurrentgainholdup •Lowprofile0.6mmhighpackageforthinapplications •RθJAe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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ZXTPS720MC	文件：269.85 Kbytes Page：10 Pages	40VPNPLOWSATURATIONTRANSISTORAND FeaturesandBenefits PNPTransistor •BVCEO>-40V •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(-220mVmax@-1A) •RSAT=104mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEcharacterizedupto-3Aforhighcurrentgainholdup SchottkyDiode •BVR>40V	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTPS720MCTA	文件：269.85 Kbytes Page：10 Pages	40VPNPLOWSATURATIONTRANSISTORAND FeaturesandBenefits PNPTransistor •BVCEO>-40V •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(-220mVmax@-1A) •RSAT=104mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEcharacterizedupto-3Aforhighcurrentgainholdup SchottkyDiode •BVR>40V	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
ZXTD720MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 40V PNP Low Sat Ic -3A 104mOhm -3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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