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ZXTN19060CFFTA	文件：513.63 Kbytes Page：6 Pages	60V, SOT23F, NPN high gain power transistor Description ThismidvoltageNPNtransistorhasbeendesignedforapplicationsrequiringhighgainandlowsaturationvoltage.TheSOT23FpackageispincompatiblewiththeindustrystandardSOT23footprintbutofferslowerprofileandhigherdissipationforapplicationswherepowerdensityisof	Zetex Zetex Semiconductors
ZXTN19060CFFTA	文件：377.6 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN HIGH GAIN POWER TRANSISTOR Description Advancedprocesscapabilityhasbeenusedtomaximisetheperformanceofthistransistor.TheSOT23FpackageispincompatiblewiththeindustrystandardSOT23footprintbutofferslowerprofileandhigherdissipationforapplicationswherepowerdensityisofutmostimportance Featu	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXTN19060CFFTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：SOT-23-3 扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
AGR19060E	文件：412.49 Kbytes Page：10 Pages	60W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor Introduction TheAGR19060Eisa60W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),globalsystemformobilecommunication(GSM/EDGE),time-divisionmultipleaccess	TriQuint TriQuint Semiconductor
AGR19060EF	文件：412.49 Kbytes Page：10 Pages	60W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor Introduction TheAGR19060Eisa60W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),globalsystemformobilecommunication(GSM/EDGE),time-divisionmultipleaccess	TriQuint TriQuint Semiconductor
AGR19060EU	文件：412.49 Kbytes Page：10 Pages	60W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor Introduction TheAGR19060Eisa60W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),globalsystemformobilecommunication(GSM/EDGE),time-divisionmultipleaccess	TriQuint TriQuint Semiconductor
LET19060C	文件：34.75 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnology DESCRIPTION TheLET19060CisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheLET19060Cisdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsource	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MRF19060	文件：387.9 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforCDMA,TDMA,GSMandmulticarrieramplifierapplications. •TypicalCDMAPerformance:1960MHz,2	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF19060	文件：414.52 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforCDMA,TDMA,GSMandmulticarrieramplifierapplications. •TypicalCDMAPerformance:1960MHz,26VoltsIS-95CDMA	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
ZXTN19060CFF	文件：513.63 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23F,NPNhighgainpowertransistor Description ThismidvoltageNPNtransistorhasbeendesignedforapplicationsrequiringhighgainandlowsaturationvoltage.TheSOT23FpackageispincompatiblewiththeindustrystandardSOT23footprintbutofferslowerprofileandhigherdissipationforapplicationswherepowerdensityisof	Zetex Zetex Semiconductors
ZXTN19060CFF	文件：377.6 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNHIGHGAINPOWERTRANSISTOR Description Advancedprocesscapabilityhasbeenusedtomaximisetheperformanceofthistransistor.TheSOT23FpackageispincompatiblewiththeindustrystandardSOT23footprintbutofferslowerprofileandhigherdissipationforapplicationswherepowerdensityisofutmostimportance Featu	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXTN19060CG	文件：324.55 Kbytes Page：8 Pages	60VNPNlowsatmediumpowertransistorinSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=7AContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXTN19060CG	文件：317.33 Kbytes Page：8 Pages	60VNPNlowsatmediumpowertransistor Description PackagedintheSOT223outlinethisnewlowsaturationNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. Features •HigherpowerdissipationSOT223package •Highpeakcurrent •Lowsat	Zetex Zetex Semiconductors
ZXTN19060CGTA	文件：317.33 Kbytes Page：8 Pages	60VNPNlowsatmediumpowertransistor Description PackagedintheSOT223outlinethisnewlowsaturationNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. Features •HigherpowerdissipationSOT223package •Highpeakcurrent •Lowsat	Zetex Zetex Semiconductors
ZXTN19060CGTA	文件：324.55 Kbytes Page：8 Pages	60VNPNlowsatmediumpowertransistorinSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=7AContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXTN19060CGTA	文件：487.42 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERLOWSATURATIONTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXTP19060C	文件：212.88 Kbytes Page：8 Pages	60VPNPmediumtransistor Description PackagedintheSOT223outlinethisnewlowsaturationPNPtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. Features •HighGain •Lowsaturationvoltage •Highpeakcurrent •7Vreverse	Zetex Zetex Semiconductors
ZXTP19060CFF	文件：462.64 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT23F,PNPmediumpowertransistor Description ThismediumvoltagePNPtransistorisdesignedforapplicationsrequiringhigh-gainandlow-saturationvoltage.TheSOT23FpackageisPINcompatiblewiththeindustrystandardSOT23footprintwhileofferingalowerprofileandhigherpowerdissipationforapplicationswherepowerdens	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXTP19060CFF	文件：450.41 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT23F,PNPmediumpowertransistor Description ThismediumvoltagePNPtransistorhasbeendesignedforapplicationsrequiringhighgainandlowsaturationvoltage.TheSOT23FpackageisPINcompatiblewiththeindustrystandardSOT23footprintwhilstofferingalowerprofileandhigherpowerdissipationforapplicationswherepow	Zetex Zetex Semiconductors
ZXTP19060CFF	文件：432.65 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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产品属性

产品编号：
ZXTN19060CFFTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
175mV @ 550mA，5.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
130MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-3 扁平引线
供应商器件封装：
SOT-23F
描述：
TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ZXTN19060CFFTA	Diodes Incorporated	23+	SOT-23-3 扁平引线	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	DIODES(美台)	23+	SOT-23F	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市凌旭科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	DIODES	2016+	SOT23	12000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	DIODESINCORPORATED	24+	SOT-23F	160822	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	DIODES	2017+	SOT23	32568	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	ZetexInc	07+/08+	SOT-23F	7500		询价
深圳市达恩科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	DiodesZetex	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
深圳市振宏微科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	DIODES/ZETEX	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳诚思涵科技有限公司	ZXTN19060CFFTA	DIODES	18+	SOT23	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价

更多ZXTN19060CFFTA供应商更新时间2024-4-26 20:22:00

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