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AND720HW	文件：128.25 Kbytes Page：3 Pages	InGaNHighBrightnessWhiteLightEmission	PURDY Purdy Electronics Corporation	PURDY
ARM720T	文件：1.63583 Mbytes Page：242 Pages	General-purpose32-bitMicroprocessorwith8KBcache,enlargedWritebuffer,andMemoryManagementUnit(MMU)combinedinasinglechip	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AT720HT	文件：220.24 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AT720LT	文件：156.13 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
ATCA-RN720	文件：590.62 Kbytes Page：2 Pages	EightmemorysocketssupportVLPDDR3-1333REG/ECCupto128GB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BAT720	文件：47.02 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdiode DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotectioninasmallSOT23plasticSMDpackage. FEATURES •Ultrahighswitchingspeed •Lowforwardvoltage •Guardringprotected •SmallplasticSMDpackage. APPLICATIONS •Ultrahigh-speedswitching •V	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT720	文件：36.16 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrierdiode ■Features ●Ultrahighswitchingspeed ●Lowforwardvoltage ●Guardringprotected	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAT720	文件：151.96 Kbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode FEATURES ●Ultrahighswitchingspeed. ●Lowforwardvoltage. ●Guardringprotected. ●SmallplasticSMDpackage. APPLICATIONS ●Ultrahigh-speedswitching. ●Voltageclamping. ●Protectioncircuits.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAT720	文件：201.69 Kbytes Page：2 Pages	350mWSchottkyDiodes40Volts Features •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •VeryLowForwardVoltageDrop •GuardRingProtected •UntralSmallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHSCompliant.SeeOrderingInformation) •EpoxyMeetsUL94V-0Flammabilit	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAT720	文件：259.67 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●HighSwitchingSpeed ●LowForwardVoltage ●GuardRingProtected APPLICATIONS ●VoltageClamping ●ProtectionCircuits	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

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详细参数

型号：
ZXTD720MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 40V PNP Low Sat Ic -3A 104mOhm -3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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