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BF720	文件：42.96 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNtransistorsinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:BF723. FEATURES •Lowfeedbackcapacitance. APPLICATIONS •Class-Bvideooutputstagesofcolourtelevisionreceivers •Generalpurposehighvoltagecircuits.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF720	文件：36.1 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES Highbreakdownandlowsaturationvoltages APPLICATIONS SuitableforvideooutputstagesinTVsets *Switchingpowersupplies	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BF720	文件：135.36 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconHigh-VoltageTransistors(SuitableforvideooutputstagesinTVsetsandswitchingpowersuppliesHighbreakdownvoltage) ●SuitableforvideooutputstagesinTVsetsandswitchingpowersupplies ●Highbreakdownvoltage ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lowcapacitance ●Complementarytypes:BF721/723(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF720	文件：173.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES •Lowfeedbackcapacitance. APPLICATIONS •Class-Bvideooutputstagesofcolourtelevision receivers •Generalpurposehighvoltagecircuits. DESCRIPTION NPNtransistorsinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:BF723.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFP720	文件：1.84071 Mbytes Page：26 Pages	CHeterojunctionWidebandRFBipolarTransistor ProductBrief TheBFP720isaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=25mA.Thed	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP720	文件：1.48703 Mbytes Page：25 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP720ESD	文件：1.88516 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP720ESDisaSiliconGermaniumCarbon(SiGe:C)NPNHeterojunctionwidebandBipolarRFTransistor(HBT)inaplasticdualemitterstandardpackagewithvisibleleads.Thedeviceisfittedwithinternalprotectioncircuits,whichenhancerobustnessagainstESDandhighRFinput	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP720F	文件：1.96386 Mbytes Page：26 Pages	CHeterojunctionWidebandRFBipolarTransistor ProductBrief TheBFP720FisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.0VandcurrentsuptoIC=25mA.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP720F	文件：1.56031 Mbytes Page：25 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP720FESD	文件：1.94228 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
ZXTD720MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 40V PNP Low Sat Ic -3A 104mOhm -3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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