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BFP720	文件：1.84071 Mbytes Page：26 Pages	C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor Product Brief The BFP720 is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4 V and currents up to IC = 25 mA. The d 文件：1.84071 Mbytes 页数：26 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720	文件：1.48703 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.48703 Mbytes 页数：25 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声RF 管基 BFP720 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 • 高转换频率 fT = 45 GHz，可在高频下实现最佳噪声系数：NFmin = 0.7 dB（5.5 GHz、3V、5 mA）\n• OIP3 = 23 dBm（5.5 GHz、3V、13 mA）;	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP720ESD	文件：1.88516 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor Product Brief The BFP720ESD is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input 文件：1.88516 Mbytes 页数：29 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720F	文件：1.96386 Mbytes Page：26 Pages	C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor Product Brief The BFP720F is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.0 V and currents up to IC = 25 mA. Th 文件：1.96386 Mbytes 页数：26 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720_12	文件：1.48703 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.48703 Mbytes 页数：25 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720F	文件：1.56031 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.56031 Mbytes 页数：25 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720F_12	文件：1.56031 Mbytes Page：25 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.56031 Mbytes 页数：25 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720FESD	文件：1.63823 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.63823 Mbytes 页数：28 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP720FESD	文件：1.94228 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor 文件：1.94228 Mbytes 页数：29 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BFP720
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调频（FM）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
3DG120C,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
H-93
vtest：
15
htest：
250000000
atest：
0.1
wtest：
0.15

技术参数

Gmax：
27.50 dB @900 MHz
ICmax：
25 mA
NFmin：
0.40 dB @900 MHz
OIP3：
20.5 dBm
OP1dB：
6 dBm
Ptot：
100 mW
VCEOmax：
4 V
Package：
SOT343

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