C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor

Product Brief The BFP720F is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.0 V and currents up to IC = 25 mA. Th

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Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor

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Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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低噪声RF 管基

BFP720F 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 • 高转换频率 fT = 45 GHz，可在高频下实现低噪声系数\n• 高增益 Gms = 21.5 dB（5.5 GHz、3 V、13 mA）\n• 薄型小尺寸无引线封装;

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低噪声RF 管基

BFP720FESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，2 kV HBM ESD 硬度。\n• 高增益 Gms = 22 dB（5.5 GHz、3V、15 mA）\n• 薄型小尺寸无引线封装;

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Package：4-SMD，扁平引线；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

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Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

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