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ZXT10N15DE6	文件：242.6 Kbytes Page：6 Pages	15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：242.6 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10N15DE6	文件：229.9 Kbytes Page：6 Pages	15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：229.9 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT10N15DE6	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 15V, 4A, SOT26	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXT10N15DE6TA	文件：229.9 Kbytes Page：6 Pages	15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：229.9 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT10N15DE6TA	文件：242.6 Kbytes Page：6 Pages	15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：242.6 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10N15DE6TC	文件：242.6 Kbytes Page：6 Pages	15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：242.6 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10N15DE6TC	文件：229.9 Kbytes Page：6 Pages	15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Low Equivalent On Res 文件：229.9 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT10N15DE6_15	文件：365.88 Kbytes Page：7 Pages	NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR 文件：365.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10N15DE6TA	文件：365.88 Kbytes Page：7 Pages	NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR 文件：365.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT10N15DE6TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 4A SOT26	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
4
ICM (A)：
13
PD (W)：
1.1
hFE (Min)：
300
hFE (@ IC) (A)：
0.2
hFE(Min 2)：
200
hFE (@ IC2) (A)：
3
VCE(sat) Max (mV)：
14
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
260
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
4/50
fT (MHz)：
120
RCE(sat) (mΩ)：
50
Packages：
SOT26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	ZXT10N15DE6	ZETEX	24+	SOT-163	10377		询价
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更多ZXT10N15DE6供应商更新时间2026-1-29 16:01:00

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