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ZXTC2063E6	文件：601.05 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT23-6 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN - PNP combination • Very low saturation voltage • High gain • SOT2 文件：601.05 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXTC2063E6	文件：613.19 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability is used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT26 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN + PNP Combination • BVCEO > 40 (-40)V • BVECO > 6 (-3)V • ICM = 9 (-9)A Pe 文件：613.19 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC2063E6	文件：520.22 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors 文件：520.22 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXTC2063E6	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary, 40V, 3.5A, SOT26 Advanced process capability has been used to achieve this high\nperformance device. Combining NPN and PNP transistors in the\nSOT26 package provides a compact solution for the intended\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTC2063E6TA	文件：613.19 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability is used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT26 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN + PNP Combination • BVCEO > 40 (-40)V • BVECO > 6 (-3)V • ICM = 9 (-9)A Pe 文件：613.19 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC2063E6TA	文件：601.05 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT23-6 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN - PNP combination • Very low saturation voltage • High gain • SOT2 文件：601.05 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXTC2063E6_08	文件：520.22 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors 文件：520.22 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXTC2063E6_15	文件：474.99 Kbytes Page：9 Pages	40V COMPLEMENTARY MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT26 文件：474.99 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC2063E6TA	文件：520.22 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors 文件：520.22 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
NPN + PNP
IC (A)：
3
ICM (A)：
9 A
PD (W)：
1.1 W
hFE (min)：
200
hFE(@ IC)：
1 A
hFE(Min 2)：
40
hFE(@ IC2)：
3.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
290
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
2/50
VCE (SAT)(Max.2)：
260
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/10
fT (MHz)：
190
RCE(SAT)：
38
Packages：
SOT26

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