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ZXTC6718MC	文件：232.24 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY DUAL 20V LOW SATURATION TRANSISTORS 文件：232.24 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC6718MC_15	文件：231.51 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY 20V LOW SATURATION TRANSISTORS 文件：231.51 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC6718MCTA	文件：232.24 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY DUAL 20V LOW SATURATION TRANSISTORS 文件：232.24 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC6718MC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary, 20V, 4.5A, DFN3020-8	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTC6718MCQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V COMPLEMENTARY LOW SATURATION TRANSISTORS This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. NPN Transistor\n\nBVCEO > 20V\nIC = 4.5A Continuous Collector Current\nLow Saturation Voltage (150mV Max @ 1A)\nRSAT = 47mΩ for a Low Equivalent On-Resistance\n\n\nPNP Transistor\n\nBVCEO > -20V\nIC = -3.5A Continuous Collector Current\nLow Saturation Voltage (-220mV Max @ -1A)\nRSAT = 64mΩ for a Lo;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN + PNP
IC (A)：
4.5
ICM (A)：
12
PD (W)：
1.7
hFE (Min)：
300
hFE (@ IC) (A)：
0.2
hFE(Min 2)：
200
hFE (@ IC2) (A)：
2
VCE(sat) Max (mV)：
150
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
135
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/50
fT (MHz)：
100
RCE(sat) (mΩ)：
47
Packages：
W-DFN3020-8 (Type B)

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