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ZXTD2090E6	文件：165.55 Kbytes Page：6 Pages	DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features • BVCEO > 50V • IC = 1A High Continuous Current • High Gain Hold-Up hFE > 200 @ IC = 0.5A • RSAT = 160mΩ for Low Equivalent On Resistance • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：165.55 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTD2090E6	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual NPN, 50V, 1A, SOT26	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTD2090E6TA	文件：165.55 Kbytes Page：6 Pages	DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features • BVCEO > 50V • IC = 1A High Continuous Current • High Gain Hold-Up hFE > 200 @ IC = 0.5A • RSAT = 160mΩ for Low Equivalent On Resistance • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：165.55 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTD2090E6_15	文件：646.01 Kbytes Page：7 Pages	50V DUAL NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26 文件：646.01 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
NPN + NPN
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
1.1 W
hFE (min)：
300 Min
hFE(@ IC)：
0.1 A
hFE(Min 2)：
75
hFE(@ IC2)：
1 A
VCE (SAT)Max (mV)：
80 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
3.5/175
VCE (SAT)(Max.2)：
270 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/20
fT (MHz)：
215 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	ZXTD2090E6TA	原装ZETEX	19+	SOT23-6	20000		询价
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更多ZXTD2090E6供应商更新时间2025-12-14 15:13:00

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