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ZXTN25012EZ	文件：387.52 Kbytes Page：8 Pages	12V NPN high gain transistor Description Packaged in the SOT89 outline this new ultra high gain, low saturation 12V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions Features • 6.5A continuous current • Up to 15A peak current • 文件：387.52 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTN25012EZ	文件：400.37 Kbytes Page：8 Pages	12V NPN high gain transistor in SOT89 Features • BVCEO > 12V • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：400.37 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25012EZTA	文件：400.37 Kbytes Page：8 Pages	12V NPN high gain transistor in SOT89 Features • BVCEO > 12V • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：400.37 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25012EZTA	文件：387.52 Kbytes Page：8 Pages	12V NPN high gain transistor Description Packaged in the SOT89 outline this new ultra high gain, low saturation 12V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions Features • 6.5A continuous current • Up to 15A peak current • 文件：387.52 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTN25012EZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 12V, 6.5A, SOT89	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTN25012EZTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN
IC (A)：
6.5
ICM (A)：
15
PD (W)：
2.4
hFE (Min)：
500
hFE (@ IC) (A)：
0.01
hFE(Min 2)：
185
hFE (@ IC2) (A)：
6.5
VCE(sat) Max (mV)：
60
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
130
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/20
fT (MHz)：
260
RCE(sat) (mΩ)：
25
Packages：
SOT89

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深圳市一线半导体有限公司	ZXTN25012EZTA	ZetexInc	24+	SOT-89	7500		询价
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更多ZXTN25012EZ供应商更新时间2026-2-4 16:00:00

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