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ZXTN4004KQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 150V, 1A, TO252 \n\t150V NPN °C DRIVING TRANSISTOR IN TO252	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTN4004KQTC	文件：192.05 Kbytes Page：5 Pages	150V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN TO252 Features • BVCEO > 150V • hFE > 100 for IC = 150mA, VCE = 0.25V • IC (cont) = 1A • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable (Note 4) Applications • LED TV B 文件：192.05 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN4004KQTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 150V 1A TO252-3	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN4004KTC	文件：192.05 Kbytes Page：5 Pages	150V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN TO252 Features • BVCEO > 150V • hFE > 100 for IC = 150mA, VCE = 0.25V • IC (cont) = 1A • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable (Note 4) Applications • LED TV B 文件：192.05 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN4004Z	文件：226.77 Kbytes Page：5 Pages	150V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN SOT89 Features • BVCEO > 150V • IC = 1A High Continuous Current • hFE > 100 for IC = 150mA, VCE = 0.25V • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable (Note 文件：226.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN4004ZQTA	文件：226.77 Kbytes Page：5 Pages	150V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN SOT89 Features • BVCEO > 150V • IC = 1A High Continuous Current • hFE > 100 for IC = 150mA, VCE = 0.25V • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable (Note 文件：226.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Polarity：
NPN
IC (A)：
1
ICM (A)：
3
PD (W)：
3.4
hFE (Min)：
60
hFE (@ IC) (A)：
0.085
hFE(Min 2)：
100
hFE (@ IC2) (A)：
0.15
VCE(sat) Max (mV)：
250
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/5
Packages：
TO252 (DPAK)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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