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ZXTP25100CZ	文件：398.04 Kbytes Page：8 Pages	100V PNP medium power transistor Description Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium. Features • High power dissi 文件：398.04 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTP25100CZ	文件：404.75 Kbytes Page：8 Pages	100V PNP medium power transistor in SOT89 Features • BVCEO > -100V • BVECO > -7V • IC = -1A Continuous Collector Current • ICM = -3A Peak Collector Current • VCE(SAT) 文件：404.75 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP25100CZTA	文件：404.75 Kbytes Page：8 Pages	100V PNP medium power transistor in SOT89 Features • BVCEO > -100V • BVECO > -7V • IC = -1A Continuous Collector Current • ICM = -3A Peak Collector Current • VCE(SAT) 文件：404.75 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP25100CZTA	文件：398.04 Kbytes Page：8 Pages	100V PNP medium power transistor Description Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium. Features • High power dissi 文件：398.04 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTP25100CZ_16	文件：415.03 Kbytes Page：8 Pages	100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：415.03 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP25100CZTA	文件：415.03 Kbytes Page：8 Pages	100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：415.03 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP25100CZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 100V, 1A, SOT89 Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTP25100CZTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 1A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
PNP
IC (A)：
1
ICM (A)：
3
PD (W)：
2.4
hFE (Min)：
200
hFE (@ IC) (A)：
0.01
hFE(Min 2)：
110
hFE (@ IC2) (A)：
0.5
VCE(sat) Max (mV)：
210
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/1
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
225
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
1/100
fT (MHz)：
180
RCE(sat) (mΩ)：
155
Packages：
SOT89

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