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ZXTP749F | 25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 Features •BVCEO>-25V •BVCEO>-35Vforwardblockingvoltage •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage,VCE(SAT) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | |
25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 Features •BVCEO>-25V •BVCEO>-35Vforwardblockingvoltage •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage,VCE(SAT) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES | ||
Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 25V 3A SOT23-3 | PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司 | PAM |
详细参数
- 型号：
ZXTP749F
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Zetex PNP Med. Power Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DIODES/美台 |
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