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ZXTP2012ZQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 60V, 4.3A, SOT89; Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 60V PNP transistor offers low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits, line switching and various driving and power management functions.\n\n	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
ZXTP2012ZQTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 4.3A SOT89	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
ZXTP2012ZTA	文件：131.77 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>-60V •IC=-4.3AHighContinuousCurrent •RSAT=32mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTP2012ZTA	文件：122.04 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89 DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethisnewlowsaturation60VPNPtransistorofferslowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuits,lineswitchingandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •Extremelylowequivalenton-resistance;RSAT=32mVat5A •4	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTR2012FF	文件：409.79 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V30mAREGULATORTRANSISTORINSOT23F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012K	文件：278.51 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V50mAREGULATORTRANSISTOR Description TheZXTR2012Kmonolithicallyintegratesatransistor,zenerdiodeandresistortofunctionasahigh-voltagelinearregulator.Thedeviceregulateswitha12Vnominaloutputat15mA.It’sdesignedforuseinhigh-voltageapplicationswherestandardlinearregulatorscannotbeused.Th	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012K	文件：383.95 Kbytes Page：7 Pages	REGULATORTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012Z	文件：376.94 Kbytes Page：7 Pages	REGULATORTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTR2012Z	文件：337.35 Kbytes Page：7 Pages	100VINPUT,12V30mAREGULATORTRANSISTOR Description TheZXTR2012Zmonolithicallyintegratesatransistor,Zenerdiodeandresistortofunctionasahighvoltagelinearregulator.Thedeviceregulateswitha12Vnominaloutputat15mA.Itisdesignedforuseinhighvoltageapplicationswherestandardlinearregulatorscannotbeused.T	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Polarity：
PNP
IC (A)：
4.3
ICM (A)：
15
PD (W)：
2.1
hFE (Min)：
100
hFE (@ IC) (A)：
0.01
hFE(Min 2)：
45
hFE (@ IC2) (A)：
5
VCE(sat) Max (mV)：
20
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
110
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/200
fT (MHz)：
120
RCE(sat) (mΩ)：
32
Packages：
SOT89

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