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ZXTP2012ZQ中文资料PNP, 60V, 4.3A, SOT89数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTP2012ZQ

参数属性

ZXTP2012ZQ 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 4.3A SOT89

功能描述

PNP, 60V, 4.3A, SOT89
TRANS PNP 60V 4.3A SOT89

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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ZXTP2012ZQ规格书详情

描述 Description

Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 60V PNP transistor offers low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits, line switching and various driving and power management functions.

应用 Application

• Emergency lighting circuits

• Motor driving (including DC fans)

• Solenoid, relay and actuator drivers

• DC-DC modules

• Backlight inverters

• Power switches

• MOSFET gate drivers









Product Specifications

简介

ZXTP2012ZQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTP2012ZQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTP2012ZQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Polarity

    :PNP

  • IC (A)

    :4.3

  • ICM (A)

    :15

  • PD (W)

    :2.1

  • hFE (Min)

    :100

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.01

  • hFE(Min 2)

    :45

  • hFE (@ IC2) (A)

    :5

  • VCE(sat) Max (mV)

    :20

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.1/10

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :110

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/200

  • fT (MHz)

    :120

  • RCE(sat) (mΩ)

    :32

  • Packages

    :SOT89

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