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ZXTP03200BZ	文件：305.71 Kbytes Page：7 Pages	200V PNP LOW VCE(sat ) TRANSISTOR IN SOT-89 Features • BVCEO > -200V • BVECO > -2V • Continuous current IC(cont) = 2A • VCE(sat 文件：305.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP03200BZ	文件：175.79 Kbytes Page：8 Pages	200V PNP Low VCE(sat) transistor Description Packaged in the SOT89 outline this new 5th generation low saturation 200V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions Features • 2 Amps continuous current • Up to 5 Amps peak curren 文件：175.79 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTP03200BZTA	文件：175.79 Kbytes Page：8 Pages	200V PNP Low VCE(sat) transistor Description Packaged in the SOT89 outline this new 5th generation low saturation 200V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions Features • 2 Amps continuous current • Up to 5 Amps peak curren 文件：175.79 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTP03200BZTA	文件：305.71 Kbytes Page：7 Pages	200V PNP LOW VCE(sat ) TRANSISTOR IN SOT-89 Features • BVCEO > -200V • BVECO > -2V • Continuous current IC(cont) = 2A • VCE(sat 文件：305.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP03200BZ_15	文件：305.71 Kbytes Page：7 Pages	200V PNP LOW VCE(sat ) TRANSISTOR IN SOT-89 文件：305.71 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTP03200BZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 200V, 2A, SOT89 Packaged in the SOT89 outline this new 5th generation low saturation 200V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTP03200BZTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 2A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
PNP
IC (A)：
2
ICM (A)：
5
PD (W)：
2.4
hFE (Min)：
100
hFE (@ IC) (A)：
0.01
hFE(Min 2)：
100
hFE (@ IC2) (A)：
1
VCE(sat) Max (mV)：
50
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
155
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.5/25
fT (MHz)：
105
RCE(sat) (mΩ)：
130
Packages：
SOT89

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