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ZXTN25040DFL	文件：446.88 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23, NPN low power transistor Description Advanced process capability has been used to achieve high current gain hold up making this device ideal for applications requiring high pulse currents. Features • High peak current • Low saturation voltage • 130V forward blocking voltage • 6V reverse blocking voltage Application 文件：446.88 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25040DFL	文件：554.96 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23, NPN low power transistor 文件：554.96 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTN25040DFLTA	文件：446.88 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23, NPN low power transistor Description Advanced process capability has been used to achieve high current gain hold up making this device ideal for applications requiring high pulse currents. Features • High peak current • Low saturation voltage • 130V forward blocking voltage • 6V reverse blocking voltage Application 文件：446.88 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN25040DFLTA	文件：554.96 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23, NPN low power transistor 文件：554.96 Kbytes 页数：8 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTN25040DFL	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 40V, 1.5A, SOT23 Advanced process capability has been used to achieve high current gain\nhold up making this device ideal for applications requiring high pulse\ncurrents. High peak currentLow saturation voltage130V forward blocking voltage6V reverse blocking voltage;	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTN25040DFLTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 1.5A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
NPN
IC (A)：
1.5 A
ICM (A)：
6 A
PD (W)：
0.35 W
hFE (min)：
300 Min
hFE(@ IC)：
1 A
hFE(Min 2)：
25
hFE(@ IC2)：
4 A
VCE (SAT)Max (mV)：
80 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
2/200
VCE (SAT)(Max.2)：
185 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/5
fT (MHz)：
190 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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更多ZXTN25040DFL供应商更新时间2026-1-24 11:01:00

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