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ZXTN2018FQ

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO > 60V Maximum Continuous Collector Current IC = 5A VCE(SAT)

文件:493 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

ZXTN2018FQTA

丝印:851;Package:SOT23;60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO > 60V Maximum Continuous Collector Current IC = 5A VCE(SAT)

文件:493 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

ZXTN2018FQ

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

•BVCEO > 60V\n•Maximum Continuous Collector Current IC = 5A\n•VCE(SAT) < 45mV @ 1A\n•RCE(SAT) = 25mΩ\n•High Power Dissipation SOT23 (Type DN) Package\n•High Peak Current\n•Low Saturation Voltage\n•140V Forward Blocking Voltage;

Diodes

美台半导体

ZXTN2018FQTA

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 5A SOT23

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    Yes

  • Product Type:

    NPN

  • IC:

    5 A

  • ICM:

    12 A

  • PD:

    1.2 W

  • hFE:

    100 Min

  • hFE (@ IC):

    2 A

  • hFE (Min 2):

    40

  • hFE (@ IC2):

    5 A

  • VCE (SAT) Max:

    55 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A):

    4/400

  • VCE (SAT) (Max.2):

    170 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A):

    1/50

  • fT:

    130 MHz

  • RCE(SAT):

    N/A mΩ

  • Packages:

    SOT23

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更多ZXTN2018FQ供应商 更新时间2025-11-30 9:02:00