ZXTN2018FQ中文资料60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23数据手册Diodes规格书

特性 Features

•BVCEO > 60V
•Maximum Continuous Collector Current IC = 5A
•VCE(SAT) < 45mV @ 1A
•RCE(SAT) = 25mΩ
•High Power Dissipation SOT23 (Type DN) Package
•High Peak Current
•Low Saturation Voltage
•140V Forward Blocking Voltage

应用 Application

• MOSFET and IGBT Gate Driving

• Motor Drive

• Relay, Lamp and Solenoid Drive

简介

ZXTN2018FQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ZXTN2018FQ晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。