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ZXTN2018FQ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

ZXTN2018FQ

参数属性

ZXTN2018FQ 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 5A SOT23

功能描述

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

原厂标识
Diodes
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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ZXTN2018FQ规格书详情

特性 Features

•BVCEO > 60V
•Maximum Continuous Collector Current IC = 5A
•VCE(SAT) < 45mV @ 1A
•RCE(SAT) = 25mΩ
•High Power Dissipation SOT23 (Type DN) Package
•High Peak Current
•Low Saturation Voltage
•140V Forward Blocking Voltage

应用 Application

• MOSFET and IGBT Gate Driving

• Motor Drive

• Relay, Lamp and Solenoid Drive

技术参数

  • 制造商编号

    :ZXTN2018FQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :5 A

  • ICM

    :12 A

  • PD

    :1.2 W

  • hFE

    :100 Min

  • hFE (@ IC)

    :2 A

  • hFE (Min 2)

    :40

  • hFE (@ IC2)

    :5 A

  • VCE (SAT) Max

    :55 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)

    :4/400

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :170 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/50

  • fT

    :130 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT23

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