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ZXTN2018F中文资料NPN, 60V, 5A, SOT23数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTN2018F

参数属性

ZXTN2018F 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 5A SOT23-3

功能描述

NPN, 60V, 5A, SOT23
TRANS NPN 60V 5A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:22:00

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ZXTN2018F规格书详情

描述 Description

Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

应用 Application

MOSFET and IGBT gate drivingMotor driveRelay, lamp and solenoid drive
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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXTN2018F属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN2018F晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTN2018F

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :ZXTN2018FQ

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :5 A

  • ICM (A)

    :12 A

  • PD (W)

    :1.2 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :2 A

  • hFE(Min 2)

    :40

  • hFE(@ IC2)

    :5 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :55 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/50

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :170 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/50

  • fT (MHz)

    :130 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT23

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