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ZXTN19100CG中文资料NPN, 100V, 5.5A, SOT223数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTN19100CG

参数属性

ZXTN19100CG 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 5.5A SOT223-3

功能描述

NPN, 100V, 5.5A, SOT223
TRANS NPN 100V 5.5A SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:20:00

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ZXTN19100CG规格书详情

描述 Description

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

应用 Application

PSU start up switchMotor driveLamp, relay and solenoid drive
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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXTN19100CG属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN19100CG晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTN19100CG

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :5.5 A

  • ICM (A)

    :10 A

  • PD (W)

    :3 W

  • hFE (min)

    :200 Min

  • hFE(@ IC)

    :0.1 A

  • hFE(Min 2)

    :130

  • hFE(@ IC2)

    :1 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :140 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/100

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :430 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :5.5/550

  • fT (MHz)

    :150 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
25+
SOT-223
54648
百分百原装现货 实单必成
询价
DiodesZetex
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
DIODES
20+
SOT-89-3
69052
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
DIODES/美台
2023+
SOT-223
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
询价
DIODES/美台
23+
SOT223
50000
原装正品 支持实单
询价
ZetexInc
24+
SOT-223TO-261
7500
询价
DIODES/美台
20+
SOT-223
120000
只做原装 可免费提供样品
询价
DIODES/美台
25
SOT-223
6000
原装正品
询价
NK/南科功率
2025+
SOT223
986966
国产
询价