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ZXTN19020DZQ中文资料20V NPN HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT89数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTN19020DZQ

参数属性

ZXTN19020DZQ 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 7.5A SOT89-3

功能描述

20V NPN HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT89
TRANS NPN 20V 7.5A SOT89-3

封装外壳

TO-243AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:14:00

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ZXTN19020DZQ规格书详情

特性 Features

•BVCEX > 70V
•BVCEO > 20V
•BVECO > 4.5V
•IC = 7.5A High Continuous Current 
•VCE(SAT) < 35mV @1A
•Low Equivalent On-Resistance; RCE(sat) = 21mΩ

应用 Application

•Emergency Lighting Circuits
•Motor Driving 
•Camera Strobe
•Boost Converter
•CCFL Backlight Inverters
•MOSFET Gate Drivers
•LED Driving

简介

ZXTN19020DZQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN19020DZQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTN19020DZQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :7.5 A

  • ICM

    :20 A

  • PD

    :2.4 W

  • hFE

    :300 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.1 A

  • hFE (Min 2)

    :150

  • hFE (@ IC2)

    :7.5 A

  • VCE (SAT) Max

    :70 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/10

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :100 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :2/40

  • fT

    :160 MHz

  • RCE(SAT)

    :21 mΩ

  • Packages

    :SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ZETEX/DIODES
20+
SOT-89
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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DIODES
18+
SOT89
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
DIODES/美台
2023+
SOT-89
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
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ZetexInc
24+
SOT-89
7500
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DIODES/美台
20+
SOT-89
120000
只做原装 可免费提供样品
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NK/南科功率
2025+
SOT89
986966
国产
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DIODES/美台
25
SOT-89
6000
原装正品
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ZETEX
23+
SOT89
30000
代理全新原装现货,价格优势
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DIODES(美台)
24+
SOT89
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