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ZXTN04120HFF中文资料NPN, 120V, 1A, SOT23F数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTN04120HFF

参数属性

ZXTN04120HFF 封装/外壳为SOT-23-3 扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F

功能描述

NPN, 120V, 1A, SOT23F
TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F

封装外壳

SOT-23-3 扁平引线

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 12:49:00

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ZXTN04120HFF规格书详情

描述 Description

This high performance NPN Darlington transistor is housed in the small outline SOT23 flat package for applications where space is at a premium.

应用 Application

Lamp, relay and solenoid drive
\t
\t\tLighting


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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXTN04120HFF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN04120HFF晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTN04120HFF

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AEC Qualified

    :Yes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :No

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :1 A

  • ICM (A)

    :4 A

  • PD (W)

    :1.5 W

  • hFE (min)

    :3000

  • hFE Condition @ IC

    :1 A

  • VCE (SAT)

    :1500 mV

  • fT (MHz)

    :120 MHz

  • Packages

    :SOT23F

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