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ZXTN2011G中文资料NPN, 100V, 6A, SOT223数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTN2011G

参数属性

ZXTN2011G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 6A SOT223-3

功能描述

NPN, 100V, 6A, SOT223
TRANS NPN 100V 6A SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:44:00

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ZXTN2011G规格书详情

描述 Description

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 100V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

应用 Application

Motor drivingLine switchingHigh side switchesSubscriber line interface cards (SLIC)
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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXTN2011G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN2011G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTN2011G

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :6 A

  • ICM (A)

    :10 A

  • PD (W)

    :3 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :2 A

  • hFE(Min 2)

    :30

  • hFE(@ IC2)

    :5 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :65 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.5/10

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :220 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/100

  • fT (MHz)

    :130 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

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